渦流探傷時(shí)影響試驗(yàn)線圈阻抗的主要因素可從如下特性函數(shù)中表現(xiàn)出來：1－η＋μrμeff   式中：η--填充系數(shù)；μr--相對磁導(dǎo)率；μeff--有效磁導(dǎo)率。即影響試驗(yàn)線圈阻抗的主要因素有：電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、試件的形狀尺寸、缺陷及試驗(yàn)頻率等。渦流探傷電導(dǎo)率：如果電導(dǎo)率σ變，則特征頻率ｆg變[ｆg=1/(2πμσα2)，α是試件半徑]，貝塞爾函數(shù)的變量變，有效磁導(dǎo)率變，試驗(yàn)線圈阻抗變。電導(dǎo)率的變化，在阻抗圖中影響阻抗值在曲線上的位置。

 

　　渦流探傷磁導(dǎo)率：非磁性材料，因?yàn)?mu;r近似為1，所以對阻抗無影響；磁性材料，因?yàn)?mu;r遠(yuǎn)大于1，所以直接影響有效磁導(dǎo)率值、特征函數(shù)值和阻抗值。磁性材料試件的阻抗隨相對磁導(dǎo)率μr值的增大而增大。渦流探傷試件幾何尺寸：試件幾何尺寸通常以直徑(或半徑)描述。試件直徑的變化，不僅影響有效磁導(dǎo)率(分析參見電導(dǎo)率分析)，而且影響填充系數(shù)。因此，試件幾何尺寸對試驗(yàn)線圈阻抗的影響是雙重的。

 

　　渦流探傷缺陷：缺陷對試驗(yàn)線圈阻抗的影響可以看作是電導(dǎo)率、幾何尺寸兩個(gè)參數(shù)影響的綜合結(jié)果。由于試件中裂紋位置、深度和形狀的綜合影響結(jié)果，使缺陷對試驗(yàn)線圈阻抗的影響無法進(jìn)行理論計(jì)算，渦流探傷通常是借助于模型進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。試驗(yàn)頻率：試驗(yàn)頻率對試驗(yàn)線圈阻抗的影響表現(xiàn)在頻率比ｆ／ｆg上，由于有效磁導(dǎo)率是以頻率比ｆ／ｆg為參變量的，隨著試驗(yàn)頻率的不同，試驗(yàn)線圈在曲線上的位置發(fā)生改變。

 

　　渦流探傷時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)試件的用途及制作注意事項(xiàng)各有三點(diǎn)要注意，首先我們來分析標(biāo)準(zhǔn)試件的用途：

 

　　①調(diào)節(jié)和檢驗(yàn)設(shè)備：渦流探傷試驗(yàn)前，使用對比試件調(diào)節(jié)試驗(yàn)參數(shù)，確定試驗(yàn)狀態(tài)；試驗(yàn)過程中，使用對比試件檢驗(yàn)設(shè)備工作是否政黨可靠。

 

　　②確定質(zhì)量驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)：試驗(yàn)中，根據(jù)對比試件上的人工缺陷的指示信號為基準(zhǔn)，確定受檢試件是否合格。

 

　　③檢查設(shè)備性能：渦流探傷主要性能有靈敏度、分辨力、末端效應(yīng)長度、人工缺陷的重要性等。

 

　　分析完標(biāo)準(zhǔn)試件的用途接下來我們來關(guān)注標(biāo)準(zhǔn)試件的制作注意事項(xiàng)是哪三點(diǎn)：

 

　　①材料選擇：渦流探傷應(yīng)使材料片號、熱處理狀態(tài)、尺寸、形狀、加工程序、表面光潔度等應(yīng)與受檢試件相同。

 

　　②人工缺陷加工：制作時(shí)不允許材質(zhì)發(fā)生變化，不允許留有殘余應(yīng)力；制作完畢，人工缺陷內(nèi)不允許殘存金屬粉末；為防止末端效應(yīng)，渦流探傷應(yīng)使人工缺陷與末端相距200mm以上；人工缺陷有兩個(gè)以上時(shí)，為防止相互干擾，間距也應(yīng)在200mm以上。

 

　　③人工缺陷的寬度及深度均應(yīng)測量。

 

　　一次完整的渦流探傷不僅僅只是一個(gè)過程還需要一份完整的報(bào)告，所以渦流探傷報(bào)告應(yīng)包括的主要內(nèi)容：A．試驗(yàn)日期   B．試驗(yàn)名稱  C．試件名稱、數(shù)量及簡單示意圖  D．試驗(yàn)裝置   E．試驗(yàn)線圈  F．試驗(yàn)條件(頻率、靈敏度、相位、濾波抑制、磁飽和電流等)   G．標(biāo)準(zhǔn)試件和判廢標(biāo)準(zhǔn)  H．渦流探傷試驗(yàn)結(jié)果及缺陷簡單示意圖   I．試驗(yàn)人員姓名及技術(shù)資格。